DDR記憶體電源控制器

RT8231C整合了一個同步 Buck 架構的 PWM 控制器、一個具有 1.5A 電流吐納能力的追蹤型線性穩壓器和有緩衝的低雜訊參考源，可為 DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4 記憶體系統提供完整的電源供應。
PWM 控制器具有低電流消耗、高效率、卓越的瞬態回應和高輸出精度等特性，可用於筆記型電腦將電池高壓轉換為低壓為記憶體系統供電。該控制器採用固定導通時間的 PWM 控制架構，可以在極寬 VIN/VOUT 比的情況下工作，使用方便，面對負載瞬變時具有快達 100ns 的“即時”回應能力，同時保持基本固定的工作頻率。
由於省略了傳統的電流模式 PWM 控制器中常見的電流檢測電阻，RT8231C 在降低了成本的情況下，還能獲得更高的效率。由於具有驅動大型同步整流 MOSFET 開關的能力，轉換效率也得到了進一步提高，使得該轉換器可以極高的效率直接從電池取電為系統供電。
具有 1.5A 電流吐納能力的低壓差線性穩壓器具有快速的瞬態回應能力，只需使用 10μF 的陶瓷輸出電容即可保持穩定工作。它還可以使用外來的電源輸入，因而可以最大化地降低總的功率損耗。
RT8231C 支援所有的睡眠狀態控制方法，可在 S3 期間將 VTT 置於高阻狀態，在 S4/S5 期間對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電操作 (軟關機)。
RT8231C 具有 OVP、UVP 和熱關機等保護特性，其封裝為 WQFN-20L 3x3。